#TecnousuariosTv: .HP y Sandisk unen fuerzas en la difícil tarea de crear memoria de almacenamiento de clase

martes, 13 de octubre de 2015

.HP y Sandisk unen fuerzas en la difícil tarea de crear memoria de almacenamiento de clase

Memoria

HP y SanDisk han anunciado la creación de un acuerdo por el cual ambas empresas van a empezar a trabajar juntas para el desarrollo de un nuevo tipo de memoria. Su objetivo, según explican en el comunicado, es crear un nuevo tipo chip 1.000 veces más rápido y resistente que la actual tecnología Flash que se encuentra en muchos dispositivos que utilizamos.

Su trabajo irá en la búsqueda de un tipo de memoria que de momento se podría considerar un santo grial para el mundo de la informática: memoria de almacenamiento de clase o SCM por sus siglas en inglés. Este anuncio es el comienzo de un viaje que podría llevar tiempo hasta llegar a su destino pues no es la primera vez que dos empresas embarcan en esta aventura. Retrocedamos un poco en el tiempo para entender bien la importancia de este acuerdo y el contexto en el que se produce.

En busca de un nuevo tipo de memoria

Hace tiempo Intel y Micron anunciaron la creación de un nuevo tipo de memoria bautizada como 3D XPoint. Curiosamente las especificaciones que estas dos compañías anunciaron eran casi idénticas a la memoria SMC en la que HP y SMC están trabajando. 1000 veces más rápida y resistente que una NAND Flash, además de diez veces más densa que una DRAM.

Lo interesante de este proyecto conjunto entre Intel y Micron era que esta 3D XPoint además reduciría los costes de fabricación abaratando el coste de producción de memoria. Todo sonaba muy bien y de hecho se atrevieron a afirmar que los primeros dispositivos con este tipo de memoria llegarían antes de que acabara el año. La realidad ha sido algo diferente y de momento ningún dispositivo en el mercado o planificado para lo que queda de 2015 usa esta tecnología.

HP y SanDisk por su parte no han dado tantos detalles técnicos como en su día hizo Intel y Micron pero teniendo en cuenta que comparten características es muy probable que se trate de un modelo muy parecido. La unión de fuerzas entre estas empresas además hay que ponerla dentro de un contexto determinado.

Tanto HP como SanDisk llevan tiempo trabajando en la fabricación de nuevos tipos de memoria. Los primeros estuvieron una temporada trabajando con tecnología Memristor y SanDisk con ReRAM. En el caso de HP el proyecto tiene un perfil muy bajo y hace tiempo anunciaron que en su departamento de Investigación y Desarrollo estaban haciendo todo lo que podían con la tecnología actual.

De momento HP y SanDisk han sido más cautas que Intel y Micron al no anunciar fechas tentativas ni tampoco explicar más al detalle cómo funciona este modelo. Lo interesante, en cualquier caso, es ver cómo cuatro grandes empresas están trabajando por mejorar los sistemas de almacenamiento Flash para traernos algo más rápido y capaz de traer más memoria en el mismo volumen.

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La noticia HP y Sandisk unen fuerzas en la difícil tarea de crear memoria de almacenamiento de clase fue publicada originalmente en Xataka por Juan Carlos González .











Agradecemos a Juan Carlos González
Fuente: http://bit.ly/1a8SV6e

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.HP y Sandisk unen fuerzas en la difícil tarea de crear memoria de almacenamiento de clase

Memoria

HP y SanDisk han anunciado la creación de un acuerdo por el cual ambas empresas van a empezar a trabajar juntas para el desarrollo de un nuevo tipo de memoria. Su objetivo, según explican en el comunicado, es crear un nuevo tipo chip 1.000 veces más rápido y resistente que la actual tecnología Flash que se encuentra en muchos dispositivos que utilizamos.

Su trabajo irá en la búsqueda de un tipo de memoria que de momento se podría considerar un santo grial para el mundo de la informática: memoria de almacenamiento de clase o SCM por sus siglas en inglés. Este anuncio es el comienzo de un viaje que podría llevar tiempo hasta llegar a su destino pues no es la primera vez que dos empresas embarcan en esta aventura. Retrocedamos un poco en el tiempo para entender bien la importancia de este acuerdo y el contexto en el que se produce.

En busca de un nuevo tipo de memoria

Hace tiempo Intel y Micron anunciaron la creación de un nuevo tipo de memoria bautizada como 3D XPoint. Curiosamente las especificaciones que estas dos compañías anunciaron eran casi idénticas a la memoria SMC en la que HP y SMC están trabajando. 1000 veces más rápida y resistente que una NAND Flash, además de diez veces más densa que una DRAM.

Lo interesante de este proyecto conjunto entre Intel y Micron era que esta 3D XPoint además reduciría los costes de fabricación abaratando el coste de producción de memoria. Todo sonaba muy bien y de hecho se atrevieron a afirmar que los primeros dispositivos con este tipo de memoria llegarían antes de que acabara el año. La realidad ha sido algo diferente y de momento ningún dispositivo en el mercado o planificado para lo que queda de 2015 usa esta tecnología.

HP y SanDisk por su parte no han dado tantos detalles técnicos como en su día hizo Intel y Micron pero teniendo en cuenta que comparten características es muy probable que se trate de un modelo muy parecido. La unión de fuerzas entre estas empresas además hay que ponerla dentro de un contexto determinado.

Tanto HP como SanDisk llevan tiempo trabajando en la fabricación de nuevos tipos de memoria. Los primeros estuvieron una temporada trabajando con tecnología Memristor y SanDisk con ReRAM. En el caso de HP el proyecto tiene un perfil muy bajo y hace tiempo anunciaron que en su departamento de Investigación y Desarrollo estaban haciendo todo lo que podían con la tecnología actual.

De momento HP y SanDisk han sido más cautas que Intel y Micron al no anunciar fechas tentativas ni tampoco explicar más al detalle cómo funciona este modelo. Lo interesante, en cualquier caso, es ver cómo cuatro grandes empresas están trabajando por mejorar los sistemas de almacenamiento Flash para traernos algo más rápido y capaz de traer más memoria en el mismo volumen.

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La noticia HP y Sandisk unen fuerzas en la difícil tarea de crear memoria de almacenamiento de clase fue publicada originalmente en Xataka por Juan Carlos González .











Agradecemos a Juan Carlos González
Fuente: http://bit.ly/1a8SV6e

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